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Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Ukraine |
|---|---|
| Ort | Kiev |
| Universität/Institution | National Academy of Sciences of Ukraine |
| Institut/Abteilung | V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, Physical Principles of Integrated Microelectronics |
Profil
| Fachgebiet | Halbleiterphysik,Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien |
|---|---|
| Keywords | Substoichiometric Si oxide, Interface layer, SiO2 precipitates, Thermodynamics, Gibbs free energy |