Prof. Dr. Daniel J. Blackwood

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-2 und Äquivalente
FachgebietElektrochemie,Metallurgische, thermische und thermomechanische Behandlung von Werkstoffen
KeywordsSemiconductor electrochemistry, Corrosion, Solar cells, Porous Silicon

Aktuelle Kontaktadresse

LandSingapur
OrtSingapore
Universität/InstitutionNational University of Singapore
Institut/AbteilungDepartment of Materials Science and Engineering

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Hans-Dieter LießInstitut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Neubiberg
Beginn der ersten Förderung01.03.1989

Programm(e)

1988Humboldt-Forschungsstipendien-Programm