Prof. Dr. Chris G. Van de Walle

Profil

Derzeitige Stellung	Professor W-3 und Äquivalente
Fachgebiet	Halbleiterphysik,Physikalische Chemie von Molekülen, Flüssigkeiten und Grenzflächen, Biophysikalische Chemie
Keywords	Defekte, Dotierung, GaN, Grenzflächen, Nitrid-Halbleiter
Auszeichnungen	2025: Aneesur Rahman Prize for Computational Physics, American Physical Society 2023: Materials Theory Award, Materials Research Society 2022: Vannevar Bush Faculty Fellow 2016: Member, United States National Academy of Engineering 2015: John Bardeen Award, TMS 2013: Medard W. Welch Award, AVS 2011: Fellow of the American Association for the Advancement of Science (2011) 2011: Fellow of the Institute of Electrical and Electronics Engineers 2010: Fellow of the Materials Research Society 2009: AVS Fellow 2002: David Adler Award, American Physical Society 1998: Humboldt Research Award for Senior US Scientist, Alexander von Humboldt Foundation, Germany, 1998 1997: Fellow of the American Physical Society

Aktuelle Kontaktadresse

Land	USA
Ort	Santa Barbara
Universität/Institution	University of California, Santa Barbara
Institut/Abteilung	Materials Department
Website	www.mrl.ucsb.edu/~vandewalle

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Matthias Scheffler	Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin
Prof. Dr. Klaus H. Ploog	Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin
Prof. Dr. Matthias Scheffler	Abteilung Theorie, Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin
Prof. Dr. Jörg Neugebauer	Abteilung Computergestütztes Materialdesign, Max-Planck-Institut für Nachhaltige Materialien, Düsseldorf
Beginn der ersten Förderung	01.05.1999

Programm(e)

1998	Humboldt-Forschungspreis-Programm für Naturwissenschaftler*innen aus den USA

Publikationen (Auswahl)

2004	Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer: First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides (Applied Physics Review). In: J. Appl. Phys., 2004, 3851-3879
2003	S. Limpijumnong, J. E. Northrup, and Chris G. Van de Walle: Identification of hydrogen configurations in p-type GaN through first-principles calculations of vibrational frequencies. In: Phys. Rev. B, 2003, 075206
2003	Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer: Structure and energetics of nitride surfaces under MOCVD growth conditions. In: J. Cryst. Growth, 2003, 8-13
2002	Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer: First-principles surface phase diagram for hydrogen on GaN surfaces. In: Phys. Rev. Lett., 2002, 066103
2002	Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer: Role of hydrogen in surface reconstructions and growth of GaN. In: J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, 1640-1646
2002	Chris G. Van de Walle: Strategies for controlling the conductivity of wide-band-gap semiconductors. In: phys. stat. sol. (b), 2002, 221-228
2001	Chris G. Van de Walle: Defect analysis and engineering in ZnO. In: Physica B, 2001, 899-903
2001	Chris G. Van de Walle, S. Limpijumnong, and J. Neugebauer,: First-principles studies of beryllium doping of GaN. In: Phys. Rev. B, 2001, 245205
2001	Chris G. Van de Walle: Point Defects and Impurities in III-Nitride Bulk and Thin Film Heterostructures. Encyclopedia of Materials: Science and Technology, Vol. 7. Pergamon, 2001. 7124
2000	Chris G. Van de Walle and J. Neugebauer: Arsenic impurities in GaN. In: Appl. Phys. Lett. , 2000, 1009-1011
2000	Chris G. Van de Walle: Hydrogen as a cause of doping in ZnO. In: Phys. Rev. Lett. , 2000, 1012-1015
1999	Chris G. Van de Walle, J. Neugebauer, C. Stampfl, M. D. McCluskey, and N. M. Johnson: Defects and defect reactions in semiconductor nitrides. In: Acta Physica Polonica A, 1999, 613-627