Prof. Dr. Darrell G. Schlom

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-3 und Äquivalente
FachgebietHerstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien,Halbleiterphysik,Mineralogie und Kristallographie
KeywordsMolekularstrahlepitaxie, Oxidische Schichten, Oxidelektronik, Oxidische Substrate, Crystal Growth

Aktuelle Kontaktadresse

LandUSA
OrtIthaca
Universität/InstitutionCornell University
Institut/AbteilungDepartment of Materials Science and Engineering
Websitehttp://www.ems.psu.edu/~schlom/

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Jochen MannhartInstitut für Physik, Universität Augsburg, Augsburg
Prof. Dr. Jochen MannhartAbteilung Experimentelle Physik, Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart
Prof. Dr. Thomas SchroederLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Beginn der ersten Förderung01.08.1999

Programm(e)

1999Humboldt-Forschungsstipendien-Programm
2018Humboldt-Forschungspreis-Programm für Naturwissenschaftler*innen aus den USA

Projektbeschreibung der*des Nominierenden

Professor Schlom is a world leader in utilizing molecular-beam epitaxy to create new oxide materials that do not exist in nature. He does this by customizing the structure of oxides at the atomic-layer level. Professor Schlom’s pioneering contributions propelled molecular-beam epitaxy to become a superb method for the preparation of atomically precise, oxide heterostructures with high purity, high mobility, high crystalline perfection, and exquisite control of layer thickness. In Germany, Professor Schlom intends to further advance heterostructure growth of complex oxides by designing and growing novel oxide crystals to be used as substrates.