Prof. Dr. E. Fred Schubert

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-3 und Äquivalente
FachgebietElektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik,Automatisierungstechnik, Mechatronik, Regelungssysteme, Intelligente Technische Systeme, Robotik,Optik, Quantenoptik und Physik der Atome, Moleküle und Plasmen

Aktuelle Kontaktadresse

LandUSA
OrtTroy
Universität/InstitutionRensselaer Polytechnic Institute
Institut/AbteilungDepartment of Electrical, Computer and Systems Engineering

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Jürgen JahnsFachgebiet Allgemeine und Theoretische Elektrotechnik, FernUniversität in Hagen, Hagen
Beginn der ersten Förderung01.06.2000

Programm(e)

1999Humboldt-Forschungspreis-Programm für Naturwissenschaftler*innen aus den USA

Projektbeschreibung der*des Nominierenden

The Humboldt Research Award is granted to Professor Schubert for his sustained contributions in the field of compound semiconductor doping and semiconductor light-emitting devices. He pioneered the development on "delta doped" semiconductors with very thin doping layers. Today, delta-doped semiconductors are routinely used in the fabrication of high-electron-mobility transistors. He also invented and demonstrated the resonant-cavity light emitting diode which is the first practical microcavity device and is amoung the world's brightest light emitting diodes.