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Profil
| Derzeitige Stellung | Professor W-3 und Äquivalente |
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| Fachgebiet | Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik |
| Keywords | integrated circuit processing and technology, nano-device, atomic layer deposition, Copper metallization, Interconnection, Low Dielectric Constant Materials |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | China, VR |
|---|---|
| Ort | Shanghai |
| Universität/Institution | Fudan University |
| Institut/Abteilung | Department of Microelectronics |
| Website | http://me.fudan.edu.cn/faculty/personweb/zhangwei/index.htm |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Beginn der ersten Förderung | 01.06.2001 |
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Programm(e)
| 2000 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
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Publikationen (Auswahl)
| 2002 | Wei Zhang, Peng-Fei Wang, Shi-Jin Ding, Ji-Tao Wang, William Wei Lee: Effect of N2 plasma annealing on properties of fluorine doped silicon dioxide films with low dielectric constant for ultra-large-scale integrated circuits. In: Chinese Physics Letters, 2002, 875-877 |
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