Prof. Dr. Randall Meindert Feenstra

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-3 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik,Oberflächenphysik
KeywordsHalbleiter, Oberflächen, Tunnelmikroskopie, Epitaxie

Aktuelle Kontaktadresse

LandUSA
OrtPittsburgh
Universität/InstitutionCarnegie Mellon University
Institut/AbteilungDepartment of Physics

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Wolfgang RichterInstitut für Festkörperphysik, Experimentalphysik, Technische Universität Berlin, Berlin
Prof. Dr. Matthias SchefflerAbteilung Theorie, Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin
Prof. Dr. Klaus H. PloogPaul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin
Prof. Dr. Karl-Heinz RiederInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Freie Universität Berlin, Berlin
Prof. Dr. Henning RiechertPaul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin
Beginn der ersten Förderung01.07.2001

Programm(e)

2000Humboldt-Forschungspreis-Programm für Naturwissenschaftler*innen aus den USA

Publikationen (Auswahl)

2004Randall Meindert Feenstra, G. Meyer and K.H. Rieder: Transport limitations in tunneling spectroscopy of Ge(111)c(2X8) surfaces. In: Phys. Rev. B, 2004, 081309-1-081309-4
2003Randall Meindert Feenstra et al: In-situ ellipsometry: Identification of surface terminations during GaN growth. In: phys. stat. sol, 2003, 2938-2943
2003Randall Meindert Feenstra et al: Surface termination during GaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy determined by ellipsometry. In: J. of Appl. Phys, 2003, 6997-6999