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Profil
| Derzeitige Stellung | Professor W-2 und Äquivalente |
|---|---|
| Fachgebiet | Physikalische Chemie der Grenzflächen |
| Keywords | reactivity, semiconductor, semiconductor surface modification, solvent effects, electrolyte interface |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Russische Föderation |
|---|---|
| Ort | St. Petersburg |
| Universität/Institution | Russian Academy of Sciences |
| Institut/Abteilung | A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, Center of Nanoheterostructure Physics |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Wolfram Jaegermann | Fachgebiet Oberflächenforschung, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt |
|---|---|
| Beginn der ersten Förderung | 01.06.2002 |
Programm(e)
| 2001 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2004 | Mikhail Lebedev, Thomas Mayer, Wolfram Jaegermann: Adsorption of solvated hydrosulfide ion at a GaAs(100) surface: The role of a solvent in surface structure modification. In: Semiconductors, 2004, 156-163 |
|---|---|
| 2003 | Mikhail V. Lebedev, Thomas Mayer, Wolfram Jaegermann: Sulfur adsorption at GaAs(100) from solution: role of the solvent in surface chemistry. In: Surface Science, 2003, 171-183 |