Zum Inhalt springen
- {{#headlines}}
- {{title}} {{/headlines}}
Profil
Derzeitige Stellung | Professor W-3 und Äquivalente |
---|---|
Fachgebiet | Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien,Mineralogie und Kristallographie,Experimentelle Physik der Kondensierten Materie |
Keywords | thin film, dielectric, ferroelectric, superlattice, superstructure |
Aktuelle Kontaktadresse
Land | China, VR |
---|---|
Ort | Guangzhou |
Universität/Institution | Sun Yat-Sen University |
Institut/Abteilung | School of Physics and Engineering |
Website | http://spe.sysu.edu.cn/node/279 |
Gastgeber*innen während der Förderung
Prof. Dr. Dietrich Hesse | Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle (Saale) |
---|---|
Prof. Dr. Ulrich M. Gösele | Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle (Saale) |
Beginn der ersten Förderung | 01.04.2003 |
Programm(e)
2002 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
---|
Publikationen (Auswahl)
2005 | Dinghua Bao, Xinhua Zhu, Marin Alexe, Dietrich Hesse: All-Epitaxial Trilayered Ferroelectric (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zro.4Ti0.6)O3/(Bi,La)4Ti3O12 Thin Films on SrTiO3 Substrates ba Pulsed Laser Deposition. In: Japanese Journal of Applied Physics, 2005, 6910-6913 |
---|---|
2005 | Dinghua Bao,Sung Kyun Lee, Xinhua Zhu, Marin Alexe, Dietrich Hesse: Growth, structure, and properties of all-epitaxial ferroelectric (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zr,Ti)O3/(Bi,La)4Ti3O12 trilayered thin films on SrRuO3-covered SrTiO3(011) substrates. In: Applied Physics Letters, 2005, 082906-1-082906-3 |
2005 | Dinghua Bao, Xinhua Zhu, Marin Alexe, Dietrich Hesse: Microstructure and ferroelectric properties of low-fatique epitaxial, all (001)-oriented (Bi,La)4Ti3=12/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(Bi,La)4Ti3O12 trilayered thin films on (001) SrTiO3 substrates. In: Journal of Applied Physics, 2005, 014101-1-14101-6 |
2005 | X.H.Zhu,D.H.Bao,M.Alexe,D.Hesse: Morphology and microstructure of all-epitaxial ferroelectric tri-layered (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zr,Ti)O3/(Bi,La)4Ti3O12 thin films on SrTiO3(011). In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2005, 739-742 |