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Profil
| Derzeitige Stellung | Professor W-3 und Äquivalente |
|---|---|
| Fachgebiet | Halbleiterphysik |
| Keywords | Cubic Boron Nitride films, Wide Band-gap Semiconductor Materials, Nanoelectronics, Nano Materials |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | China, VR |
|---|---|
| Ort | Beijing |
| Universität/Institution | Chinese Academy of Sciences (CAS) |
| Institut/Abteilung | Institute of Semiconductors, Lab. of Semiconductor Materials Science |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Paul Ziemann | Institut für Festkörperphysik, Universität Ulm, Ulm |
|---|---|
| Beginn der ersten Förderung | 01.07.2003 |
Programm(e)
| 2002 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2005 | X. W. Zhang, H. Yin, H.-G. Boyen, P. Ziemann, M. Ozawa: Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation. In: Diamond & Related Materials, 2005, 1482-1488 |
|---|---|
| 2005 | X. W. Zhang, H.-G. Boyen, P. Ziemann, F. Banhart: Heteroepitaxial growth of cubic boron nitride films on single-crystalline (001) diamond substrates. In: Applied Physics A Materials Science & Processing, 2005, 735-738 |
| 2005 | X. W. Zhang, H.-G. Boyen, H. Yin, P. Ziemann, F. Banhart: Microstructure of the intermediate turbostratic boron nitride layer. In: Diamond & Related Materials, 2005, 1474-1481 |
| 2004 | X.W. Zhang, H.-G. Boyen P. Ziemann M. Ozawa F. Banhart M. Schreck: Growth mechanism for epitaxial cubic boron nitride films on diamond substrates by ion beam assisted deposition. In: Diamond and Related Materials, 2004, 1144-1148 |