Prof. Dr. Apurba Laha

Profil

Derzeitige Stellung	Professor W-3 und Äquivalente
Fachgebiet	Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik,Halbleiterphysik
Keywords	Plasma Assisted Molecular Beam Eptiaxy, Epitaxial growth, III-Nitride based green LED and LASER diode, UV light sources and Detectors, III-Nitride
Auszeichnungen	2010: Cited in Marquis Who’s Who in Science, 2010 edition. 2010: International Einstein Award for Scientific Achievement by International Biographical Center, Cambridge, England 2009: Nominated among the best three researchers from Leibniz University Hannover for Heinz-Maier-Leibnitz-Price of German Research Foundation (DFG) 2005: Alexander von Humboldt Research Fellowship

Aktuelle Kontaktadresse

Land	Indien
Ort	Mumbai
Universität/Institution	Indian Institute of Technology (IIT) Bombay
Institut/Abteilung	Department of Electrical Engineering

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Hans Jörg Osten	Institut für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Hannover
Prof. Dr. Henning Riechert	Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin
Prof. Dr. Markus Weyers	Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Berlin
Prof. Dr. Andreas Schell	Institut für Festkörperphysik, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Hannover
Beginn der ersten Förderung	01.07.2005

Programm(e)

2004	Humboldt-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2018	Pierre Corfdir, Gabriele Calabrese, Apurba Laha, Thomas Auzelle, Lutz Geelhaar, Oliver Brandt, Sergio Fernández-Garrido: Monitoring the formation of GaN nanowires in molecular beam epitaxy by polarization-resolved optical reflectometry. In: CrystEngComm, 2018, 3202-3206
2007	Apurba Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K application. In: Thin Solid Films, 2007, 6512-6517
2007	Apurba Laha, H. J. Osten, and A. Fissel: Influence of interface layer composition on the electrical properties of epitaxial Gd2O3 thin films for high-K application,. In: Applied Physics Letters, 2007, 113508-1-113508-3
2006	Apurba Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel 88, 172107 (2006).: Crystalline ternary rare earth oxide with capacitance equivalent thickness below 1 nm for high-K application. In: Applied Physics Letters, 2006, 172107-1-172107-3
2006	Apurba Laha, H. J. Osten, and A. Fissel: Impact of Si-substrate orientations on electrical properties of crystalline Gd2O3 thin films for high-K application. In: Applied Physics Letters, 2006, 143514-1-143514-3