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Profil
| Derzeitige Stellung | Professor W-3 und Äquivalente |
|---|---|
| Fachgebiet | Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik,Halbleiterphysik |
| Keywords | Plasma Assisted Molecular Beam Eptiaxy, Epitaxial growth, III-Nitride based green LED and LASER diode, UV light sources and Detectors, III-Nitride |
| Auszeichnungen | 2010: Cited in Marquis Who’s Who in Science, 2010 edition. 2010: International Einstein Award for Scientific Achievement by International Biographical Center, Cambridge, England 2009: Nominated among the best three researchers from Leibniz University Hannover for Heinz-Maier-Leibnitz-Price of German Research Foundation (DFG) 2005: Alexander von Humboldt Research Fellowship |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Indien |
|---|---|
| Ort | Mumbai |
| Universität/Institution | Indian Institute of Technology (IIT) Bombay |
| Institut/Abteilung | Department of Electrical Engineering |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Hans Jörg Osten | Institut für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Hannover |
|---|---|
| Prof. Dr. Henning Riechert | Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin |
| Prof. Dr. Markus Weyers | Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Berlin |
| Prof. Dr. Andreas Schell | Institut für Festkörperphysik, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Hannover |
| Beginn der ersten Förderung | 01.07.2005 |
Programm(e)
| 2004 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2018 | Pierre Corfdir, Gabriele Calabrese, Apurba Laha, Thomas Auzelle, Lutz Geelhaar, Oliver Brandt, Sergio Fernández-Garrido: Monitoring the formation of GaN nanowires in molecular beam epitaxy by polarization-resolved optical reflectometry. In: CrystEngComm, 2018, 3202-3206 |
|---|---|
| 2007 | Apurba Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K application. In: Thin Solid Films, 2007, 6512-6517 |
| 2007 | Apurba Laha, H. J. Osten, and A. Fissel: Influence of interface layer composition on the electrical properties of epitaxial Gd2O3 thin films for high-K application,. In: Applied Physics Letters, 2007, 113508-1-113508-3 |
| 2006 | Apurba Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel 88, 172107 (2006).: Crystalline ternary rare earth oxide with capacitance equivalent thickness below 1 nm for high-K application. In: Applied Physics Letters, 2006, 172107-1-172107-3 |
| 2006 | Apurba Laha, H. J. Osten, and A. Fissel: Impact of Si-substrate orientations on electrical properties of crystalline Gd2O3 thin films for high-K application. In: Applied Physics Letters, 2006, 143514-1-143514-3 |