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- {{title}} {{/headlines}}
Profil
| Derzeitige Stellung | Post Doc |
|---|---|
| Fachgebiet | Halbleiterphysik,Mineralogie und Kristallographie |
| Keywords | MOVPE, Nitrides, Quantum Dots, Light Emitting Devices, XRD |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Singapur |
|---|---|
| Ort | Singapur |
| Universität/Institution | Singapore MIT Alliance for Research and Technology (SMART) Centre |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Michael Kneissl | Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Berlin |
|---|---|
| Beginn der ersten Förderung | 01.01.2010 |
Programm(e)
| 2009 | Humboldt-Forschungsstipendien-Programm für Postdocs |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2011 | Abdul Kadir, Christian Meissner, Tilman Schwaner, Markus Pristovsek, MichaelKneissl: Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy. In: JournalofCrystalGrowth, 2011, 40-45 |
|---|---|
| 2011 | Markus Pristovsek, Abdul Kadir, Christian Meissner, Tilman Schwaner, Martin Leyer, and Michael Kneissl: Surface transition induced island formation on thin strained InGaN layers on GaN (0001) in metal-organic vapour phase epitaxy. In: Journal of Applied Physics, 2011, 073527-1-073527-7 |