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Prof. Dr. Ya-Hong Xie

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-3 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik,Mineralogie und Kristallographie
KeywordsSiGe heterostructures, optoelectronics, physics of nanostructures, surface science, graphene

Aktuelle Kontaktadresse

LandUSA
OrtLos Angeles
Universität/InstitutionUniversity of California, Los Angeles (UCLA)
Institut/AbteilungDepartment of Materials Science and Engineering

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Wolfgang MehrInnovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt (Oder)
Prof. Dr. Wolfgang MehrMaterialforschung, Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt (Oder)
Prof. Dr. Thomas SchroederMaterialforschung, Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt (Oder)
Beginn der ersten Förderung01.05.2013

Programm(e)

2012Humboldt-Forschungspreis-Programm für Naturwissenschaftler*innen aus den USA

Projektbeschreibung der*des Nominierenden

Professor Xie is an internationally leading expert on silicon-based materials and devices. He is renowned for his outstanding contributions in the field of silicon germanium materials systems, covering fundamentals of materials science as well as applications in silicon microelectronics. During his research stay in Germany, Professor Xie will focus on graphene research for terahertz and photonics applications.