Prof. Dr. Shi-Jin Ding

Aktuelle Kontaktadresse

LandChina, VR
OrtShanghai
Universität/InstitutionFudan University
Institut/AbteilungDepartment of Microelectronics

Profil

FachgebietElektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik,Werkstofftechnik
KeywordsAtomic layer deposition (ALD) technique, Non-volatile memory technology, High-k dielectric/Metal gate stack, Low-k material and copper integration, MIM capacitors for RF and mixed signal application