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Profil
| Derzeitige Stellung | Post Doc |
|---|---|
| Fachgebiet | Halbleiterphysik |
| Keywords | Photoluminescence, Nanocrystals, Silicon Photonics, DLTS, Electrical Characterization |
Aktuelle Kontaktadresse
| Land | Deutschland |
|---|---|
| Ort | Dresden |
| Universität/Institution | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG |
Gastgeber*innen während der Förderung
| Prof. Dr. Klaus Moelmer | Institute of Physics and Astronomy, Aarhus University, Aarhus C |
|---|---|
| Beginn der ersten Förderung | 01.08.2017 |
Programm(e)
| 2017 | Feodor Lynen-Forschungsstipendien-Programm für Postdocs |
|---|
Publikationen (Auswahl)
| 2019 | I Boturchuk, L Scheffler, A Nylandsted Larsen, B Julsgaard: Anomalous behavior of electrically active defects near EC?0.5 eV in MOCVD, as-grown GaN. In: AIP Advances, 2019, 025322 |
|---|---|
| 2019 | Leopold Scheffler, Søren Roesgaard, John Lundsgaard Hansen, Arne Nylandsted Larsen, Brian Julsgaard: Tin-based donors in SiSn alloys. In: Journal of Applied Physics, 2019, 035702 |
| 2018 | L Scheffler, M J Haastrup, S Roesgaard, J L Hansen, A Nylandsted Larsen, B Julsgaard: Embedded tin nanocrystals in silicon - an electrical characterization. In: Nanotechnology, 2018, 05570 |